パワー半導体の接合技術の現状と今後 -SiCに対応する新しい材料の実装技術

摘要

次世代パワーエレクトロニクスは、エネルギー転換における強靭な電力ネットワーク構築の鍵となる。電力ネットワークの各段階(発電'送電-配電'消費）において電力変換技術が利用され、その際に生じる電力損失を大幅に低減することが求められている。そのため、パワー半導体として 使われているSiの替りに、SiC(シリコンカーバイ ド）を代表とする、高耐圧、低オン抵抗、耐熱、 高周波特性などの物理的·電気的に優れ、250°C 以上の高温動作が可能なワイドバンドギヤップ半導体(WBG)の普及が期待されている。