熱処理による酸化物半導体In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタ（IGZO TFT）の特性改善メカニズムと低温化

摘要

代表的な金属酸化物半導体薄膜トランジスタ（TFT）であるIn-Ga-Zn-0（IGZO）TFTは10cm~2/Vsを超える電界効果移動度を有し、スパッタリング法で室温形成可能なことより次世代ディスプレイやフレキシブルデバイス応用で注目されている。しかしながら、スパッタ成膜IGZOをチャネルに用いたTFTでは特性改善や信頼性確保に300℃程度の熱処理が必要であることが知られている。本発表では熱処理によるIGZO TFTの特性改善メカニズムを議論し、我々が提唱している水素添加IGZO（IGZO:H）による熱処理温度低温化に関しても議論する。