Renesas Electronics stellt auf der electro-nica eine neue Generation von Si-IGBTs (Silicon Insulated Gate Bipolar Transistors) vor, die eine geringe Verlustleistung für moderne Wechselrichter für Elektrofahr-zeuge erm?glichen. Die IGBTs reduzieren die Verlustleistung um zehn Prozent im Vergleich zu den Produkten der aktuellen Generation, was Entwicklern von Elektro-fahrzeugen hilft, Batteriestrom zu sparen und die Reichweite zu erh?hen. Darüber hinaus sind die neuen Produkte laut Hersteller etwa zehn Prozent kleiner und sehr robust. Die IGBTs der AE5-Generation werden ab der ersten Jahresh?lfte 2023 auf den 200-mm- und 300-mm-Waferlinien von Renesas in der Fabrik im japanischen Naka in Serie gefertigt. An seinem Messestand pr?sentiert Renesas Electronics unter anderem auch eine RISC-V-MCU, die für moderne Motorsteuerungssysteme optimiert ist. Die L?sung soll Kunden eine sofort einsatzbereite, schlüsselfertige L?sung für Motorsteuerungsanwendungen bieten, die keine Entwicklungskosten verursacht. Anwender k?nnen die Vorteile des vorprogrammierten ASSP ohne RISC-V-bezogene Tools und Softwareinvestitionen nutzen und sofort mit der Entwicklung von Hardwaresystemen beginnen. Zu den Ziel- anwendungen für die R9A02G020-L?sung geh?ren unter anderem Haus-/Geb?udeau-tomation, Ger?te für das Gesundheitswesen, Haushaltsger?te und Drohnen. Zur Unterstützung der Systementwicklung hat der Hersteller eine 3-Phasen-Motorsteuerung mit RISC-V Core Winning Combination entwickelt, die den neuen ASSP und andere kompatible Bausteine aus dem Renesas-Portfolio zur Unterstützung von 3-Phasen-Motoren für allgemeine Anwendungen einsetzt.
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