再構成可能な光集積回路に向けたSi導波路型反射率可変ミラー

摘要

再構成可能な光集積回路に向け，Si導波路による反射率が変更可能なミラーの検討を行った．Cバンド帯（1530-1560nm）においてフラットな特性を持ったミラーを目標とし，曲げ構造を利用した方向性結合器によるマッハツェンダー干渉器とループミラーを用いたミラーを提案した．実際にCMOSプロセスを用いた反射率可変ミラーにおいて1550-1575nmの範囲で20dB程度の反射率可変比を得た．