衛星搭載用Ka帯GaN HEMTの高効率化

摘要

近年，衛星搭載用電力増幅器の小型化·軽量化·長寿命化を目的とした，従来の進行波管増幅器（Traveling Wave Tube Amplifier: TWTA）からGaN（窒化ガリウム）HEMT（High Electron Mobility Transistor）を用いた固体電力増幅器への置き換えが進んでいる。GaN HEMTは従来のGaAs（ガリウムヒ素）HEMTに比べて出力電力を飛躍的に高めることができるが，Ka帯を含むミリ波帯を活用した高速·大容量通信への適用に向けて更なる高効率化が求められている。