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超低消費電力磁気メモリの開発最前線

机译:超低消費電力磁気メモリの開発最前線

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摘要

スピントロニクス技術を応用した不揮発性磁気メモリ(MRAM)の製品化がすでに進んでいる.最近では,2019年1月にMRAMチップメ一カ一であるEverspin Technologiesから28 nm 1 Gb STT-MRAMのサンプル出荷開始が発表され量産化も計画されている.さらなる大容量化,高速性,高書き換え耐性化が期待されているスピントロニクス技術を応用した磁気デバィスに注目が集まっている.今回の特集では,究極的に消費電力の削減が可能なスピン軌道相互作用を利用したスピン軌道トルクの詳細な解説から始まり,電圧トルクMRAMおょび磁性細線メモリ,さらに先の世代でデバィス応用が期待される新規スピントロニクスデバィスの最近の進展にっいて解説していただきました.

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