RAS法を用いて作製した（Er, Y）_2SiO_5の評価

摘要

集積回路の金属配線による問題を解決するため，光集積回路の実現に向けて，集積可能な光デバイスの研究が進められている．その中で，Si基板上に集積可能で，既にあるCMOSプロセスの技術で光集積回路形成が可能であるシリコンフォトニクスが注目されている．シリコンフォトニクスに用いる光増幅媒質として（Er, Y）_2SiO_5結晶があるが，これまでデバイス作製に適した作製方法がなかった．本研究ではRAS（Radical Assisted Sputtering）法を基に多元系で組成比の制御性がよく，デバイス開発に適した作製方法を開発し，室温下で優れた発光特性を持ち高配向な（Er, Y）_2SiO_5結晶を作製した．