非晶質Ge薄膜のMg誘起横方向成長におけるMg拡散量の評価

摘要

近年，IV半導体を低融点絶縁基板上に形成するために金属触媒を用いた金属誘起固相成長法が広く研究されている．しかし，この手法は低温形成と引き換えに結晶への金属混入によるデバイス特性の劣化が生じてしまう．そのため，非晶質半導体中に金属が拡散してもGeと化合物を形成し，デバイス特性の劣化を防ぐ材料であるMgを用い，非晶質Ge薄膜の結晶成長を試みた．その結果，350℃で非晶質Ge薄膜のMg誘起横方向成長が引き起こされること，横方向成長を引き起こすためには35～40%程度のMgをGe薄膜中に混入させる必要があることが分かった．また，Mg誘起横方向成長を促進するため，多段熱処理を試みた処，横方向成長距離が約6倍に拡大することが分かった．