垂直磁気トンネル接合に用いるCo_2FeSi／D0_(22)-Mn_3Ge二層構造

摘要

巨大な垂直磁気異方性を持つフェロ磁性体D0_(22)型Mn_3Ge薄膜を磁気抵抗メモリ用の磁気トンネル接合に応用するため，高いスピン分極率を併せ持つCo_2FeSiと積層することを提案している．本発表では積層順番について検討を行った．特にフルホイスラー合金，Mn_3Geの順で積層した構造で，磁化の層間交換結合を確認した．