基板加工方法（特許第6970415号）

摘要

本発明は、シリコンカーバイド、サファイア、窒化ガリウムなどの基板加工方法に関し、より具体的にはレーザ加工による基板加工方法に関するものである。従来、シリコン（Si）ウェハに代表される半導体ウェハを製造する場合には、石英るつぼ内に溶融されたシリコン融液から凝固した円柱形のインゴットを適切な長さのブロックに切断して、その周縁部を目標の直径になるよう研削し、その後、ブロック化されたインゴットをワイヤソーによりウェハ形にスライスして半導体ウェハを製造するようにしている。なお、この明細書中においては、別記する場合を除いてウェハのことを適宜に基板と称する。