増強された電荷蓄積容量とレート能力を有するNiS2/NiS@Cヘテロ構造花弁から成るOstwald熟成と硫黄エスケープ可能キク様構造 22A2412304

摘要

遷移金属硫化物は，それらの高い理論容量のた め，電池-スーパーキャパシタハイプリッド（BSH)デバイス用の有望な材料の一つとして考えられているが，遅い電荷輸送のため，低い出力性能と貧弱なレート能力に悩まされている.ここでは， 犠牲テンプレート戦略を提案し，前駆体としてニッケルベース金属-有機骨格を用いて，キク状炭素被覆硫化ニッケルへテロ構造(NiS2@C，NiS2/NiS@C及びNiS@C)を設計した.