Демонстрация эффекта резистивного переключения отдельных филаментов в мемристорных структурах Ag/Ge/Si методом атомно-силовой микроскопии

摘要

Экспериментально продемонстрирован эффект резистивного переключения в отдельных дислокациях в мемристорных структурах Ag/Ge/Si(001) методом атомно-силовой микроскопии с проводящим зондом. На вольт-амперных характеристиках дислокаций обнаружен гистерезис, типичный для биполярного резистивного переключения, связанного с формированием и разрушением Ag-филамента в слое Ge в результате дрейфа ионов Ag~+ вдоль ядра дислокации.