ポリジメチルシロキサン版による塗布型有機薄膜トランジスタの作製評価

摘要

ポリジメチルシロキサン（PDMS）版による転写技術を用いて、p型およびn型有機半導体薄膜をポリマー絶縁膜上に転写し、塗布型有機薄膜トランジスタ（TFT）およびCMOSインバータを作製した。p型半導体としてオリゴチオフェン誘導体（BHD6T）、n型半導体としてフラーレン誘導体（C60MC12）を用いた。飽和領域から算出した電界効果移動度および閾値電圧は、pチャネルでは0.02cm~2/Vs，-24.6V、nチャネルでは0.17cm~2/Vs，43.8Vであった。インバータ特性を評価したところ、ヒステリシスの小さい良好な反転特性が得られ、ゲインは最大で56を示した。