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MOSFETエージングモデルを用いた回路特性劣化SPICEシミュレーション

机译:MOSFETエージングモデルを用いた回路特性劣化SPICEシミュレーション

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摘要

今日,半導体製品は様々な製品に用いられており,車載部品や医療機器に代表される高信頼性が必須な製品にも数多く使われている.当然,構成部品である半導体製品にも高信頼性が求められるが,特にICなどを始めとする集積回路製品の電気特性に関しての信頼性設計を行う場合,ICを構成している個々のデバイス(トランジスタやパッシブ素子など)の信頼性試験結果から,最悪条件を想定しマージンをとる設計手法か,設計者の経験で製品設計を行い,実機の試験結果を確認するという手法が多かった.しかし,近年,より高精度な信頼性予測が可能なシミュレーション技術に対するニーズが高まっている.本稿では,そんなニーズに対して,MOSFETの特性劣化にフォーカスし,SPICEを用いた回路シミュレーションで特性を予測する手法に関して紹介する.

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