高感度紫外光電子分光法を用いた無機·有機半導体のギャップ内準位の直接観測と評価

摘要

無機·有機半導体を用いたデバイスは，しばしば禁制帯に微弱に存在するギャップ内準位から大きな影響を受けるため，ギャップ内準位の状態密度（DOS）を正確に決定する手法が求められている．そこで，我々は一般的な光電子分光装置を改良し，深紫外光源の波長を変化させながら連続的に紫外光電子分光（UPS）を行う高感度紫外光電子分光法（HS-UPS）を開発した．さらに入射光の波長を変化させながら一定の運動エネルギーの光電子の収量を測定する一定終状態収量分光法（CFS-YS）を組み合わせ，ギャップ内準位のDOSをフェルミエネルギー直下まで直接的に評価することが可能になった．講演では，HS-UPSを有機·無機半導体に広く適用した結果とその有用性を議論する．