ポルフィリン／フラーレン積層型太陽電池の正孔取り出し層の挿入効果と表面電位特性

摘要

本研究ではITO／正孔取り出し層／ポルフィリン／フラーレン／バソキュプロイン／Al構造の光電変換素子を作製した。銅フタロシアニンの代わりのp型半導体としてポルフィリンを用いることで起電力は大幅に増加した。ビルトインポテンシャルを増加させるために、酸化ニッケルや酸化モリブデンを挿入することで起電力とフィルファクターは増加した。しかしながら、酸化モリブデンを挿入した素子に熱処理すると光電変換特性は著しく低下した。表面電位測定から酸化モリブデン／ポルフィリン界面では正孔取り出す高い電界が存在するが、熱処理によりこの電界が失われることや酸化モリブデンの仕事関数が低下することがわかった。