HfSiON high-kゲート形成プロセスによるBTストレス中のV{sub}(th)安定性改善

摘要

いくつかの異なる方法で界面層を形成したHfSiONゲートnチャネルトランジスタのBias Temperature (BT)ストレス中のV{sub}(th)安定性を評価した。BTストレス中のV{sub}(th)シフトはゲート絶縁膜構造に強く依存し、同等のEOTのSiONと比較して、HfSiON/SiON構造およびPDA (Post Deposition Anneal)-HfSiONのV{sub}(th)安定性は大幅に改善した。 一方、ケミカルオキサイドを界面層とするHfSiONの場合、比較的大きなV{sub}(th)シフトが見られた。 HfSiONバルク中でのキャリアの捕獲効率の観点から考察を行う。