キャリア発生層挿入ペンタセン電界効果トランジスタの構造と特性評価

摘要

有機電界発光素子において報告されているキャリア発生層を、有機電界効果トランジスタに適用した。ペンタセン薄膜トランジスタに五酸化バナジウム（V_2O_5）を材料とするキャリア発生層を挿入したところ、挿入無しの場合に比べ約2．5倍のドレイン電流が観測された。またペンタセンとV_2O_5の共蒸着層を挿入したところ、さらに倍程度の電流となり大きな効果が確認された。このような電流増加にはペンタセンとV_2O_5の電荷移動（CT）錯体の形成が関与していると考えられ、共蒸着層ではCT錯体の形成が顕著になったためと考えられた。