超格子キャップ層を用いたサファイア基板上

摘要

サファイア基板上にAIGaN／GaN超格子（Superlattice‥SL）構造を有するGaNHFET（ヘテロ構造FET）を集積化することによりK帯で動作するMMIC増幅器を開発した。 GaNHFETのオーミックコンタクト層にSL構造を適用することにより0?4日?mmという低ソース抵抗値を実現した。 そのDC／高周波特性は最大相互コンダクタンス（gm，maX）400mS／mm以上、ft、fmaxでそれぞれ60GHz、140GHzであり、K得で動作可能であることを示した。サファイア基板上GaNMMICの高周波信号伝送にはコプレーナ型線路構造を用いた。 そのMMICは20GHzから24GHzの帯域で小信号利得として13dBという広帯域特性とP州として15．4dBmが得られた。 さらにIIP3で7．5dBmの高い値が得られ、広いダイナミックレンジが求められるK帯の無線システムに適していることを実証した。