(1120)Znの膜／石英基板構造のSH型SAW伝搬特性

摘要

これまでに我々は非結晶基板上に(1120)面配向ZnO膜を作製する技術を確立してきた．この膜にIDTを形成すると，SH型SAWが励振される．したがって，この膜を用いればSH型SAWデバイスをSi基板やパイプなど曲面をもつ基体上に集積できる可能性がある．本報告では，ZnO (0°, 90°, ψ)膜／石英基板構造において電極配置，ψ角度，膜厚H/λを変化させ電気機械結合係数(K{sup}2)を解析した．その結果，IDT/ZnO (0°, 90°, 55°)膜／石英基板構造(H/λ=0.21)において最も高い値(K{sup}2=3.4％)が得られた．さらに，RFマグネトロンスパッタ法により，実際にこの構造のデバイスを作製し，SH型SAWの励振を確認した．