III-V族化合物半導体高周波デバイスの現状と展望

摘要

III-V族化合物半導体はSiに比べて電子移動度·電子速度や耐圧が高いといった物性上の利点からSiを上回る高速で動作可能なトランジスタの材料として用いられてきた。本稿ではIII-V族化合物半導体高周波デバイスの研究開発の現状と今後の展望をまとめる。