人工転位網を内包したSOI構造を用いたシリコンナノデバイス

摘要

人工転位網内包silicon-on-insulator (SOI)構造を用いた単電子デバイスについて紹介する。 薄いSOI層中に2次元らせん転位網を埋め込んだ構造を、2枚の市販SOIウエハを直接貼り合わせる方法により実現した。 転位周辺の歪み場に応じてバンド端のエネルギーが変調され、SOI層中に周期ポテンシャルが形成されることが期待される。20nm周期の人工転位網を内包したSOI構造を用いてMOSFETを作製した結果、ドレイン電流－ゲート電圧特性に単電子トンネルによる電流振動が観測された。 転位網が周期ポテンシャル·多重トンネル接合の形成に有効であることを示唆している。