ミリ波帯線形,非線形導波路および機能性回路素子開発に関する研究

摘要

本研究ではMBE成長GaAs，GaN系ナノデバイス開発に向けて，ミリ波帯における平面回路線路の基本伝送特性ならびに高周波半導体素子への光照射特性の理論的，実験的解明を目的として研究を行ってきた．ミリ波帯以上の高周波で実際の集積回路を動作させようとする場合に，平面回路線路はある条件のもとに表面波漏洩現象および空間波放射現象が生じ，ミリ波デバイスを含む回路性能に大きな影響を及ぼすこと，また平面回路を多層化した場合には，これらの特性がより複雑になることも示してきた。 ここでは，まずこの多層化による漏洩特性をうまく利用すれば新たなデバイスが構成できることを明らかにする．また，平面回路デバイスへの励振問題を扱うとき，これまで物理的に観測不可能な実数解のモードが励振部近傍では擬導波モードとして作用することを明らかにしてきたが，今回これに加えて物理的に観測不可能な複素数解のモードも擬漏洩モードとして励振部近傍に影響を及ぼすことを新たに見出している．最後に，GaAsMESFETの光照射特性については，これまで明らかにしてきた振幅特性ではなく位相特性に注目し，光照射による移相器の構成について検討を行っている．