フレキシブルエレクトロニクス創成に向けた金誘起層交換成長法による擬似単結晶Ge／プラスチックの形成

摘要

フレキシブルエレクトロニクスの創成を目指し、絶縁基板上における擬似単結晶Geの低温形成を検討した。非晶質Ge／Au/絶縁基板の積層構造を用いた層交換成長法に、Ge/Au相互拡散制御、基板との界面エネルギー変調の手法を重畳した新しい結晶成長法を検討した。その結果、（100）または（111）方位を有する大粒径Ge結晶（≧20μm）の選択成長を低温（～250℃）で実現した。さらに、本手法をフレキシブルなプラスチック基板上に展開し、（111）方位を有する大粒径Ge結晶をプラスチック基板直上に実現した。本手法は、フレキシブルエレクトロニクスの基盤技術とした期待される。