Al誘起成長法による大粒径Ge／導電膜／ガラス構造の形成

摘要

ガラスを基板とした安価な多接合型薄膜太陽電池の創製には，導電膜で被覆されたガラス基板上に大粒径のGe層を形成する技術が重要となる．本研究では，大粒径Ge／導電膜／ガラス構造の形成手法として，「導電膜上におけるAl誘起成長」及び自己組織的に下地導電膜（Al）を形成する「逆Al誘起成長」を検討し，成長Ge層の結晶粒径と配向方位の観点から両手法の比較を行った．