半導体を使わない歪トンネリングデバイスの提案

摘要

ナノメートルレベルで起こるトンネル効果に注目し、そのトンネルギャップ電流の制御に圧電体の電盃効果の歪を利用した新しい集積回路用デバイス(STD: Strained Tunneling Device)を提案する。