首页> 外文期刊>Физикаи химия обработки материалов >Общая теория анодного окисления кремния и его соединений (аналитический обзор)
【24h】

Общая теория анодного окисления кремния и его соединений (аналитический обзор)

机译:硅及其化合物阳极氧化的一般理论(分析综述)

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

Обобщены результаты исследований процессов анодного окисления в легирующих электролитах кремния, карбида и нитрида кремния. Выявлена единая природа контролирующей стадии, что положено в основу общей теории анодного окисления данных материалов. Приведены анодные реакции взаимодействия Si, SiC и Si_3N_4 с компонентами нитратных, фосфатных, арсенатных и бортных элекгролитов, отвечающие за их механизмы протекания процессов анодирования. Проведен расчет параметров полевого транзистора с анодным оксидом в качестве подзатворного диэлектрика: удельной емкости подзатворного диэлектрика, удельной крутизны и тока стока. Установлено, что эта модель обеспечивает удовлетворительное совпадение с экспериментальными данными. Даны рекомендации по обеспечению экологической безопасности электролитов.
机译:总结了硅、碳化硅和氮化硅合金化电解质中阳极氧化过程的研究结果。已经揭示了控制阶段的统一性,这是这些材料阳极氧化的一般理论的基础。介绍了Si、SiC和Si_3N_4与硝酸盐、磷酸盐、砷酸盐和板电解质成分相互作用的阳极反应,这些成分负责其阳极氧化过程的机理。计算了以阳极氧化物为子栅极电介质的场效应晶体管的参数:子栅电介质的比电容、比斜率和漏极电流。该模型已被发现与实验数据提供了令人满意的匹配。给出建议以确保电解质的环境安全。

著录项

获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号