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スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会第170回定例研究会開催報告

机译:溅射和等离子体工艺技术小组委员会第170次例会报告

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摘要

2022年3月18日(金)にオンライン(Zoom)方式により,スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会第170回定例研究会が開催された。本研究会では「プラズマプロセスを“あやつる”~半導体ドライエッチングの最新技術~」と題し,半導体製造において欠かせない技術であるドライエッチングに関する最新技術の動向を,第一線で活躍されている講師の先生方をお招きし,ご講演いただいた。本研究会には69名が参加し,今回のテーマへの関心の高さがうかがえた。はじめに,ナノテクリサーチの野尻一男氏より,「ドライエッチング技術の進展と最新技術動向」についてご講演いただいた。各種プラズマソースの開発から現在に至るまでのドライエッチング技術の進展から,3D NANDメモリデバイスに要求される高アスぺクト比ホールエッチング,アトミックレイヤーエッチング,最後に最先端技術であるスマートファクトリ対応のインテリジェント·ツールに関して解説いただいた。
机译:2022 年 3 月 18 日星期五,溅射和等离子体工艺技术小组委员会第 170 次例会通过在线 (Zoom) 举行。 在本次研讨会中,我们邀请了活跃在第一线的讲师,以“操纵等离子体工艺~半导体干法刻蚀的最新技术~”为题,就半导体制造中不可或缺的技术干法刻蚀相关的最新技术趋势进行演讲。 共有69人参加了本次研讨会,表明对这一主题的兴趣很高。 首先,纳米技术研究所的野尻一夫先生作了题为“干法蚀刻技术进展及最新技术趋势”的演讲。 他解释了干法刻蚀技术从各种等离子体源的发展到现在的进展,3D NAND存储设备所需的高深宽比孔刻蚀和原子层刻蚀,最后是智能工厂的智能工具,这些都是前沿技术。

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