首页> 外文期刊>表面と真空 >高効率テラへルツデバイス開発のための第一原理計算に基づくSTMシミュレーションによる低温成長GaAsのバルク点欠陥の直接同定
【24h】

高効率テラへルツデバイス開発のための第一原理計算に基づくSTMシミュレーションによる低温成長GaAsのバルク点欠陥の直接同定

机译:高効率テラへルツデバイス開発のための第一原理計算に基づくSTMシミュレーションによる低温成長GaAsのバルク点欠陥の直接同定

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

テラへルツ(THz)波とは,およそ0.1~10THzのミリ波から遠赤外の,周波数領域の電磁波のことを指す。THz波は効率のよい発生及び検出素子がなかったため,電磁波における末開拓領域とも呼ばれていた。1THzの周期は1ピコ秒(=10~(-12)秒)であり,自由空間での1THzの電磁波の波長は300μmである。1THzを光子エネルギーhvに換餘すると約4.1meVに対応し,kT(k:ボルツマン定数)により温度に換算すると約48Kに対応する。したがって,THz波はエネルギーの低い素励起をプローブするのに適している。
机译:太赫兹(THz)波是指频率范围从约0.1~10太赫兹的毫米波到远红外线的电磁波。 由于太赫兹波没有高效的产生和探测元件,因此它们也被称为电磁波的前沿区域。 1 THz 的周期为 1 皮秒(= 10 ~ (-12) 秒),1 THz 电磁波在自由空间中的波长为 300 μm。 当 1 THz 转换为光子能量 hv 时,它对应于约 4.1 meV,当通过 kT(k:玻尔兹曼常数)转换为温度时,它对应于约 48 K。 因此,太赫兹波适用于探测低能基本激发。

著录项

获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号