Поперечный перенос носителей заряда в полупроводниковых селективно-легированных гетероструктурах СаАз/АЮаАз при продольном протекан

摘要

Исследовались спектры фотоотражения селективно-легированных гетероструктур СаАз/АЮаАз при пропускании постоянного электрического тока вдоль слоев структуры. Разработанная модель спект-ров позволила вычислить изменения внутренних поперечных электрических полей при протекании про-дольного тока. Экспериментально доказано, что даже слабый разогрев электронов в таких структурах приводит к пространственному перераспределению электронов в направлении, поперечном слоям гете-роструктуры.