出力全開パヮーモジュール拡大期に入った事業戦略富士電機Si-IGBT延命が現実解SiCにも注力、25年車向けに

摘要

EV/HV需要や省エネ化ニーズの高まりで、パワー半導体市場は中長期的に右肩上がりが期待される。Si-IGBTの次世代開発にも熱が入り、SiCチップの車載インバーター回路への搭載も始まった。チップならびにパッケージ技術の両輪でさらなるパワー密度向上と低熱抵抗化への挑戦を続けるパワー半導体?モジュールの展望を探る。第1回は富士電機を取り上げる。