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机译:角的依赖的氮化硅蚀刻C4F6 CH2F2 / 2 /空气等离子体
Ajou Univ, Dept Chem Engn, Worldcup Ro 206, Suwon 16499, South Korea;
angle of incidence; silicon nitrides; Fluorocarbon filmsANGULAR DEPENDENCEetching;
机译:C4F6 / CH2F2 / O-2 / AR等离子体中Si3N4蚀刻的角度依赖性
机译:C4F6 / CH2F2 / O-2 / AR等离子体中Si3N4蚀刻的角度依赖性
机译:C4F6 / O2 / Ar和C4F6 / CH2F2 / O2 / Ar等离子中SiO2蚀刻速率的角度依赖性
机译:首次“原位”测定天然海冰中大量气体浓度测量(O-2,N-2,ar)的气体输送系数(D-O2,D-ar和D-N2)