六方晶窒化ホウ素／グフフェン積層構造の結晶方位制御

摘要

グラフェンに代表される二次元物質群は，原子1個もしくは数個分の厚みでも多種多様な機能を発現することから，次世代ナノデバイス材料として期待されている。また，二次元物質では積層回転角により異なる電子状態に相転移する興味深い物理現象も発見され，この特有の現象を利用した新奇デバイスの創製も考えられる。二次元物質は大きな表面体積比により特性は表面状態や外界に大きく影響を受ける。例えば，グラフェンではガス吸着によるキャリアドーピング，積層する基板表面の凹凸や電荷不純物によるキャリア移動度の低下が起きる。