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エア·ゥ才一ター、5G時代支える高周波デバイスに最適化した、低コスト·高性能なGaN基板を開発

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摘要

エア·ゥォーター(豊田喜 久夫会長)は、11月26日、低 コスト且つ高性能な高周波ト ランジスタを製造出来る、窒 化ガリウム積層構造 を開発したと発表した。 本誌及び姉妹誌『PROト ロン』でも詳報の通り、同社 では膜を繋ぎに、&基板 上にCSN膜を形成する事で、 安価なCSN基板を製造すると いう、「GaNonSiConSi」技 術を確立していたが、今回の 高周波トランジス夕向けGaN 基板は、同技術の延長線上に ある。
机译:Air UTA(Yukio Toyoda董事长)于11月26日宣布,它已经开发了硝酸盐的层压结构,该结构可以生产低成本且高性能高的tolange Tolange Tolanssta。 在该杂志和姊妹杂志“ Pro Toron”中,该公司建立了一种“ Ganonsiconsi”技术,该技术通过连接膜并在基板上形成CSN膜来制造便宜的CSN底物。但是,高高的GAN基板在高高的高高基质中。 - 频率Transeen夜晚是该技术的延伸。

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