Влияние термической обработки на термоэлектрическую добротность кремния, легированного методом ядерной трансмутации

摘要

Исследованы особенности влияния термической обработки на электрические и термоэлектрические характеристики кристаллов кремния, легированных примесью фосфора методом ядерной трансмутации и (для сравнения) обычным металлургическим способом. Установлено, что для получения оптимальных значений термоэлектрической добротности Z_a в кристаллах n-Si, легированных методом ядерной трансмутации, необходимо подвергать их отжигу при температуре 1100-1200°C в течение 2 ч, тогда как для обычных кристаллов n-Si следует использовать отжиг той же длительности, но при более низкой температуре. В обоих случаях более высокие значения термоэлектрической добротности получены при охлаждении кристаллов от температуры отжига до комнатной температуры со скоростью 1°C/мин.