Рассмотрено влияние радиационных дефектов, вызванных облучением протонами (2,5 МэВ), тяжелыми ионами ~(132)Хе~(27+) (167, 80, 40 МэВ), ~(86)Кг~(17+)(107 МэВ),~(40)Аr~(8+) (48 МэВ), на критические параметры ВТСП-2 лент на основе соединений YВа_2Сu_3O_(7-x) и GdВа_2Сu_3O_(7-x). Приведены результаты расчетов на основе модели термического пика размеров треков ионов. Рассчитаны проективные пробеги ионов и протонов в данных образцах. Определена радиационная стойкость изученных образцов к ионному и протонному излучению указанных энергий. Выполненные исследования позволили обнаружить при низких флюенсах облучения тяжелыми ионами увеличение критического тока (/_c), улучшение адгезии между сверхпроводящим слоем и подложкой, уменьшение внутренних напряжений в ВТСП слое. При более высоких значениях флюенсов происходит уменьшение критического тока и критической температуры. Важно, что снижение I_c начинается при более низких значениях флюенсов, чем Т_c.
展开▼
