...
机译:基于GaAs L-Valley载流子直接注射逆转霍尔器件的预测
Raja Ramanna Ctr Adv Technol Mat Sci Sect Semicond Mat Lab Indore 452013 Madhya Pradesh India;
Raja Ramanna Ctr Adv Technol Mat Sci Sect Semicond Mat Lab Indore 452013 Madhya Pradesh India;
Raja Ramanna Ctr Adv Technol Mat Sci Sect Semicond Mat Lab Indore 452013 Madhya Pradesh India;
inverse spin Hall effect; L-valley; inter-valley scattering; numerical simulations;
机译:使用Pt / GaAs混合结构中的光诱导逆自旋霍尔效应将光偏振信息直接转换为电压:自旋光电探测器
机译:谷谷间散射诱导逆旋转霍尔效应的理论预测与实验证明GaAs中热电子的逆旋转霍尔效应
机译:谷间散射引起GaAs热电子逆自旋霍尔效应的理论预测和实验证明
机译:基于逆建模和全频带蒙特卡洛器件仿真的深sub / spl mu / m CMOS技术的热载流子效应的准确预测
机译:使用自旋注入通过自旋回波测量检测GaAs中的核自旋相干性
机译:GaAs / AlGaAs二维电子气体中外在光诱导的逆自旋霍尔效应的观察
机译:分离反旋转霍尔电压和旋转整流电压 反转自旋注入方向
机译:室温下反自旋霍尔效应的实验观察