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机译:P型4H-SIC中受体杂质跳跃传导的负霍尔因子
Shimane Univ Interdisciplinary Fac Sci &
Engn Matsue Shimane 6908504 Japan;
Silicon carbide; Hall effect; impurity band; hopping conduction;
机译:霍尔跳闸传导中霍尔系数的迹象的简单物理模型,在掺杂的p型4h-sic中
机译:霍尔系数在最近邻近跳跃传导中的哈尔掺杂P型4H-SiC
机译:跳跃在Fesi中断。 I.由于顶部和底部杂质哈伯德乐队跳跃传导,大厅,塞贝克和内部效果
机译:n型和p型GaN中跳跃传导的霍尔因子
机译:半导体结中深层杂质的电学表征:掺D的P型硅上的肖特基势垒。
机译:基于P型4H-SiC外延层的压阻特性定量分析。
机译:出版商注:“植入P型4H-SiC中的铝受体激活和充电补偿”AIP进步9,055308(2019)
机译:单轴应力对p型锗和硅中受体基态和跳跃传导的影响