...
首页> 外文期刊>Applied optics >Near- to mid-IR (1-13 mu m) III-V semiconductor lasers: introduction to the feature issue
【24h】

Near- to mid-IR (1-13 mu m) III-V semiconductor lasers: introduction to the feature issue

机译:近IR(1-13μm)III-V半导体激光器:功能问题简介

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
   

获取外文期刊封面封底 >>

       

摘要

This feature issue reports on the most recent advances in the field of III-V semiconductor lasers emitting in the near- to mid-IR spectral regions, with a particular focus on devices with an emission wavelength range between 1 and 13 mu m. (C) 2017 Optical Society of America
机译:该特征问题有关在近的至中红外光谱区域发出的III-V半导体激光器领域的最新进步的报告,特别侧重于1至13μm之间的发射波长范围的装置。 (c)2017年光学学会

著录项

  • 来源
    《Applied optics》 |2017年第31期|共2页
  • 作者单位

    Univ Calif Santa Barbara Dept Elect &

    Comp Engn Santa Barbara CA 93106 USA;

    Univ Iowa Dept Elect &

    Comp Engn Iowa City IA 52242 USA;

    Onyx Opt Inc Dublin CA 94568 USA;

    Univ Elect Sci &

    Technol China Chengdu Sichuan Peoples R China;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 应用;
  • 关键词

获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号