Полупроводниковые лазеры с квантовыми точками InAs

摘要

На протяжении последних лет структуры с кВантоВыми точками (КТ) на основе материалов InAs, (In,Al)GaAs являются объектом интенсивного исследования. Большой интерес к лазерам с квантовыми точками прежде всего обусловлен возможностью достижения экстраординарно низкой пороговой плотности тока и получения излучения с длинами волн 1,3 и 1,55 мкм, соответствующими окнам прозрачности оптического волокна. Лазерные диоды, излучающие на длинах волн 1,3 и 1,55 мкм, являются ключевыми элементами высокоскоростных волоконно-оптических линий связи.