Влияние химической обработки на поверхностные состояния и электрофизические характеристики Au-n-InP структур

摘要

В работе приведены результаты исследования влияния химической обработки на параметры барьеров Шоттки М-InP и оценивалось по ВАХ и ВФХ контактов Au-n-InP (100) (S = 4 10{sup}(-2) см{sup}2), сформированных методом термического напыления Аи на подложки n-InP (N = 10{sup}18 см{sup}(-3)) при температуре 403 - 423 К. Показано, что химическая обработка является важным фактором управления поверхностными свойствами InP, приводящими к изменению практически всех параметров контактов Аu-n-InP. При варьировании видов химической обработки коэффициент неидеальности ВАХ, (Ф{sub}б){sup}(эф) и напряжение пробоя могут изменяться соответственно в пределах 1,06 - 1,8, 0,35 - 0,68 эВ и 3 - 10 В. На основе анализа электрических характеристик контактов Au-n-InP установлено, что барьеры Шоттки, полученные на поверхности, обработанной в щелочной среде (pH> 7), обладают более слабой температурной зависимостью I{sub}s, свидетельствующей о пониженной (Ф{sub}б){sup}(эф) таких контактов.