Характеристики процесса ионно-химического травления монокристаллического кремния плазмой комбинированного разряда

摘要

Представлены результаты технологических испытаний разработанного и изготовленного разрядного устройства, предназначенного для плазменного травления материалов, используемых в технологии микроэлектроники. Особенностью организации процесса обработки является управляемое воздействие на поверхность материала химически активными частицами, создаваемыми в условиях комбинированного (СВЧ и НЧ поля) разряда. Результаты экспериментов показали высокие количественные и качественные характеристики процессов удаления материалов (в частности травления монокристаллического кремния), реализуемых в разработанном разрядном устройстве.