Эффект Холла в германии, легированном разными примесями

摘要

Исследовано влияние различных примесей на кинетику электронных процессов в монокристаллах n-Ge(Sb). Установлено существенное снижение подвижности носителей заряда в области преимущественно примесного рассеяния (при 77 К) в кристаллах n-Ge(Sb+Si), а также в кристаллах германия с примесью редкоземельных элементов, и дано объяснение полученному эффекту.