НОВЫЙ ВЫСОКОИНТЕНСИВНЫЙ 'ТОЧЕЧНЫЙ' ИСТОЧНИК ЭЛЕКТРОНОВ

摘要

Разработана физическая технология формирования самоорганизованных наногетероструктур, образованных тонким (～5-10 нм) слоем диэлектрика (ZrO{sub}2) на поверхности острийного микрокристалла W <100>. Проведено исследование термоактивированного процесса электронной эмиссии в вакуум с поверхности границы раздела ZrO{sub}2-вакуум в условиях воздействия на наногетероструктуру электростатического поля. Показано, что закономерности электронной эмиссии не согласуются с теорией явления термополевой эмиссии. Исследованному явлению дано специальное наименование "аномальная термополевая эмиссия". Установлено, что в режиме аномальной термополевой эмиссии приведенная яркость и угловая интенсивность эмиссии с поверхности наногетероструктуры на два порядка величины превосходят аналогичные параметры ZrO/W<100> Шоттки-катодов. Предложена феноменологическая модель механизма аномальной термополевой эмиссии.