SiC（シリコンカーバイド）·ショットキー·ダイオード

摘要

インフィニオンテクノロジーズは2001年2月に理想的なパワー半導体材料であるSiC（シリコンカーバイド）を使ったまったく新しい整流素子、SiC（シリコンカーバイド）ショットキー·ダイオードを製品化した（写真、表）。 SiCショットキー·ダイオードは逆回復時間（trr）がほぼ"0"という理想的なスイッチング特性を示す。