Лазерный метод формировании ионно-легироваиныж структур на карбиде кремиия

摘要

Предложена методика высокоэнергетичесюй имплантации Pt в монокристаллические пластины n-SiC при формировании ионного пучка из импульсной лазерной плазмы под воздействием внешнего импульсного электрического поля. Представлена математическая модель, позволяющая прогнозировать концентрационные профили распределения имплантированных атомов по данным экспериментальных измерений основных параметров импульсной лазерной плазмы и известных технических параметров ускоряющей высоковольтной системы. Показана возможность применения данной методики для формирования диодной структуры на карбиде кремния.