設備発じh低減活動減圧窒化膜成長装置生成物付着対策による微粒子低減活動

摘要

半導体製造装置は、各種ガスを用い、高温、真空、プラズマなどさまざまな条件にてウエハを処理している。 処理中の状態がアンバランスになった場合には、反応生成物が微粒子としてウエハの表面に付着し、製品の歩留低下を引き起こす。 今回、設備からプロセス処理中に発生する微粒子に対する低減活動について紹介する。 当社半導体製造ラインにおいて、最先端品プロセスニーズの1つとして、減圧CVD装置による低温窒化膜成長量産化が決定した。 そこで従来高温条件にて稼働している装置において、低温条件展開を実施したが、微粒子数の爆発的な増加により適用不可であった。 そこで、真空排気システムの温度コントロールの実施、及び、排気配管部品のレイアウトの最適化を図ることにより、微粒子の主発生要因である塩化アンモニウム固体化による生成物を完全除去でき、また、ウエハと生成物とを遮断させることに成功させることにより、低温条件展開を実現できた。