首页> 外文期刊>Приборы и техника эксперимента >ПЕРСПЕКТИВЫ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ РЕВЕРСИВНО ВКЛЮЧАЕМЫХ ДИНИСТОРОВ В РЕЖИМАХ КОММУТАЦИИ СУБМИКРОСЕКУНДНЫХ ИМПУЛЬСОВ ТОКА
【24h】

ПЕРСПЕКТИВЫ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ РЕВЕРСИВНО ВКЛЮЧАЕМЫХ ДИНИСТОРОВ В РЕЖИМАХ КОММУТАЦИИ СУБМИКРОСЕКУНДНЫХ ИМПУЛЬСОВ ТОКА

机译:在亚微秒电流脉冲的切换模式下使用可逆指令的前景

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
获取外文期刊封面目录资料

摘要

Приведены результаты исследований реверсивно включаемых динисторов (р.в.д.) с рабочим напряжением 2 кВ и диаметром структур 12 мм при коммутации мощных импульсов тока субмикросекундной длительности. Показано, что в этом временном диапазоне коммутационные потери энергии в р.в.д. значительно ниже, чем у тиристоров и IGBT-транзисторов, имеющих практически ту же площадь полупроводниковых структур и предельно допустимое блокируемое напряжение. Определено время коммутации (менее 0.4 мкс), при котором использование р.в.д. становится малоэффективным.
机译:当切换亚微米渗透强度耐久性的强大电流脉冲时,对逆转器(R.VD)的研究结果包括2kV和直径为12mm结构的工作电压。 结果表明,在这段时间范围内,R.V.D中的能量切换损耗。 显着低于晶闸管和IGBT晶体管,其具有几乎相同的半导体结构区域和最大可允许的可阻挡电压。 确定切换时间(小于0.4μs),其中使用R.V.D. 它变得无效。

著录项

获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号