Ионно-лучевая установка содержит два однотипных широкоапертурных источника ионов кислорода с холодным полым катодом: один источник используется для нанесения на нагретую поверхность обрабатываемого образца тонкого слоя материала мишени методом ионного распыления (мишень изготавливается из одинакового с образцом материала или из близкого ему по свойствам), другой источник служит для распыления полученной структуры. Установка позволяет делать плоской поверхность оксидных материалов путем последовательного заполнения впадин слоем материала мишени и распыления полученной структуры на глубину, незначительно превышающую толщину осажденного слоя. Циклы осаждения-распыления повторяются с постепенным уменьшением толщины осаждаемого слоя.
展开▼