СОЗДАНИЕ НАНОСТРУКТУР В ГЕТЕРОПЕРЕХОДЕ С ГЛУБОКИМ ЗАЛЕГАНИЕМ ДВУМЕРНОГО ЭЛЕКТРОННОГО ГАЗА МЕТОДОМ ВЫСОКОВОЛЬТНОЙ *

摘要

Описана методика высоковольтного локального анодного оксидирования поверхности гетероструктур на основе Ga[Al]As с использованием атомно-силового микроскопа (а.с.м.). Применение импульсной подачи напряжения и полуконтактного режима работы а.с.м. позволило локально обеднить двумерный электронный газ (д.э.г.) на необычно большой глубине, 80 нм, от поверхности. Это дает возможность создавать баллистические наноструктуры на основе д.э.г. с высокой подвижностью носителей. Описана методика приготовления открытой квантовой точки в д.э.г. с подвижностью μ≈3·10{sup}6 см{sup}2/(В·с) при 4.2 К и приведены результаты тестовых низкотемпературных измерений ее проводимости.